パソコンなどのSSDに用いられるフラッシュメモリも3次元実装へ

パソコンで用いられるSSD(Solid State Drive)やスマートフォンの内蔵ストレージで利用されるフラッシュメモリは、ここしばらくチップあたりの容量の伸びが鈍化していました。

ですが、ここに来てすべてのメーカーが新たな容量増加のための方法に舵を切り、また大容量化が加速していきそうです。そのキーワードとなるのがここでも「3D」です。

フラッシュメモリの容量拡大も積層型チップで

パソコン用メモリは転送速度の面で一つの壁にぶつかっていて、CPUやGPUの性能の伸びに全く追従できなくなっています。これを打ち破れるかもしれない技術がHBMなどのメモリチップを積層する技術です。

利用の方向と実装の方向がちょっと異なりますが、フラッシュメモリの世界でも容量の壁を打ち破るのは、チップの積層化技術と言うことになりそうです。

この技術の製品化で先鞭をつけたのはサムスンでした。「V-NAND」というブランド名をつけ、すでに一般向けでも市場に出回っているSSDに32層チップを積層したフラッシュメモリを搭載してきています。

これに続いたのが東芝/SANDISKです。つづいて、SK hynixやIntel/Micronもこれに続く宣言を行い、2016年には1チップで256Gbit(32GB)を実現するフラッシュメモリが市場に投入されます。

サムスンではこのチップを利用することで、1ドライブで16TBを実現するSSDが製品化できるとしています。どうやらついにSSDが容量面でもHDDを凌駕する時代がやってくることになりそうです。

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大容量化だけではなく高速化も

3D技術を利用すると、必要以上にフラッシュメモリの一つのセルを小さくする必要がなくなります。

こうなることで、書き換え回数の点での寿命が延びることが期待できます。

さらに、メモリのセルが小さくなるに従って増えていたエラーレートが大幅に下がり、エラー訂正メカニズムを通すことによる速度低下が避けられるようになりますので、特に何らかの高速化のメカニズムを新たに作り込むことなく、自然にフラッシュメモリの読み出し/書き込み速度が向上します。

いいことづくめ

以上のように、まさにいいことづくめのフラッシュメモリの積層化技術となっています。

価格面でもサムスンのV-NAND搭載SSDはほかのメーカー製製品と互角以上に戦える価格を実現していますので、さらなるチップの大容量化でより値段が低下していくことも期待できそうです。

あとは寿命的な部分が気になるフラッシュメモリですが、よほど連日ディスクの内容を書き換え続けるような使い方をしない限り、現行のSSDでも通常はそう簡単に寿命を迎えることはありません。

価格面さえクリアできれば、一般用途向けパソコンでも、ストレージはSSDが主役になる時代が来るのかもしれません。

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